型号 FDC6506P-VB
丝印 VB4290
品牌 VBsemi
详细参数说明
极性 2个P沟道
额定电压（Vds） -20V
额定电流（Id） -4A
静态导通电阻（RDS(ON)) 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V
门源极电压（Vgs） ±12V
阈值电压（Vth） -1.2V 至 -2.2V
封装类型 SOT23-6
应用简介
FDC6506P-VB是一款双P沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块
1. 电源开关模块 由于具有两个P沟道MOSFET，FDC6506P-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于通信设备、电子设备和工业电源应用中。
2. 电池保护 该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、电动工具和电动汽车非常关键。
3. 电池充电管理 在电池充电管理模块中，FDC6506P-VB可以用于电池充电电路，确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
4. LED驱动 由于其P沟道MOSFET特性，该产品还可以应用于LED驱动模块，用于开关和调光LED灯。这对于照明系统、商业照明和照明调光器非常有用。
5. 电流控制 FDC6506P-VB适用于需要P沟道MOSFET的电流控制模块，例如电流传感器和电流源。它可以帮助实现精确的电流控制。
总之，FDC6506P-VB是一款多功能的双P沟道MOSFET，适用于多种领域的模块设计，包括电源开关、电池保护、电池充电管理、LED驱动和电流控制等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。
