企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

STB30NF20-VB-TO263封装N沟道MOSFET

型号: STB30NF20-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 额定电压 200V
  • 最大持续电流(I 40A
  • 导通电阻 48mΩ @ 10V
  • 门源电压范围 20V(正负)
  • 阈值电压 3.3V
  • 封装 TO263

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  STB30NF20-VB
丝印  VBL1208N
品牌  VBsemi
参数  
 类型  N沟道
 额定电压(Vds)  200V
 最大持续电流(Id)  40A
 导通电阻(RDS(ON))  48mΩ @ 10V
 门源电压范围(Vgs)  20V(正负)
 阈值电压(Vth)  3.3V
 封装  TO263

应用简介  
STB30NF20-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高额定电压和较高电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域,如电源开关、电机控制和工业应用。

详细参数说明  
1. **类型**  这是一款N沟道MOSFET,意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。

2. **额定电压(Vds)**  它可以承受的最大漏极-源极电压为200V。这表示在正常工作条件下,其电压可以达到200V。

3. **最大持续电流(Id)**  这款MOSFET的最大电流承受能力为40A。这使它能够处理高电流负载。

4. **导通电阻(RDS(ON))**  RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为48mΩ,表示在导通状态下的功耗相对较低。

5. **门源电压范围(Vgs)**  MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。

6. **阈值电压(Vth)**  这款MOSFET的阈值电压为3.3V。这是启动MOSFET导通的门源电压。

7. **封装**  这款MOSFET采用TO263封装,这是一种常见的功率封装类型,适用于高功率电子应用。

应用领域  
STB30NF20-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,包括但不限于以下领域模块  

1. **电源开关**  可用于高电压开关电源,如电压转换和电源稳定。

2. **电机控制**  在电机控制器中用于控制电机的速度和方向,特别是用于工业电机。

3. **电力逆变器**  用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。

4. **高电压电源管理**  用于高电压电源管理和电流控制电路,如工业控制系统。

5. **电动工具**  在需要高功率和高效能的电动工具中,如电动钻机和电锯。

总之,这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能,特别是在高功率和工业应用中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    123浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量