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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BSS138LT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET

型号: BSS138LT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道类型 N沟道
  • 额定电压 60V
  • 最大电流 0.3A
  • 静态导通电阻 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V
  • 门源电压 ±20V
  • 阈值电压 1.6V
  • 封装类型 SOT23

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号   BSS138LT1G-VB
丝印   VB162K
品牌   VBsemi

详细参数说明  
 沟道类型   N沟道
 额定电压   60V
 最大电流   0.3A
 静态导通电阻 (RDS(ON))   2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V
 门源电压 (Vgs)   ±20V
 阈值电压 (Vth)   1.6V
 封装类型   SOT23

应用简介  
BSS138LT1G-VB是一款N沟道场效应晶体管,广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域  

1. **电源管理模块**   BSS138LT1G-VB可用于电源开关和电源管理模块,帮助实现高效的电源控制和管理。

2. **信号开关**   由于其N沟道特性和低阈值电压,该晶体管适用于信号开关电路,可用于数据传输和信号处理模块。

3. **LED照明**   在LED照明控制模块中,BSS138LT1G-VB可以用作电流调节器和开关,有助于实现亮度控制和颜色温度调整。

4. **电池管理**   用于电池管理模块中,以控制电池充电和放电,延长电池寿命并提高性能。

5. **传感器接口**   在传感器模块中,该晶体管可用于信号放大和传感器控制,提供精确的测量和响应。

总之,BSS138LT1G-VB适用于多种电子模块和电路,包括电源管理、信号处理、LED照明、电池管理和传感器接口等领域。其N沟道特性、低阈值电压和高额定电压使其成为广泛应用的元器件。

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