型号 NTD25P03LG-VB
丝印 VBE2338
品牌 VBsemi
参数
P沟道
-30V电压
-26A电流
RDS(ON) 33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
20Vgs(±V)阈值电压
-1.3Vth(V)阈值电压
TO252封装
该型号的详细参数说明
类型 N沟道P-MOSFET
最大漏源电压（VDS） -30V
最大漏源电流（ID） -26A
导通电阻（RDS(ON)） 33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
门源阈值电压（Vgs(th)） -1.3V
最大门源电压（Vgs） ±20V
封装类型 TO252
该产品适用于以下领域模块
电源管理系统
自动控制系统
电动汽车系统
工业自动化控制系统
LED照明系统等
这些沟道P-MOSFET可以用于电源开关、电机驱动、电源逆变器、充放电电路等应用。它们在需要高效能和低电阻的场合提供了可靠的功率开关功能。通过改变门源电压控制电阻，它们可以实现高效的电源管理和电路控制。
