型号 SM3113NSUC-TRG-VB
丝印 VBE1303
品牌 VBsemi
类型 N沟道
额定电压 30V
额定电流 100A
RDS(ON) 2mΩ@10V, 3mΩ@4.5V
Vgs 20Vgs(±V)
阈值电压 1.9Vth(V)
封装 TO252
应用简介
该产品是一款具有高性能的N沟道MOSFET，适用于各种应用领域。它具有低的导通电阻和高的开关速度，可以提供有效的电流控制和热稳定性，使其广泛应用于各种功率电子设备和模块中。
该产品适用于以下领域模块
1. 电源模块 由于该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的额定电流，能够提供稳定的电源输出，因此适用于配电系统、逆变器和稳压器等电源模块。
2. 电机驱动模块 在电机驱动模块中，该MOSFET可以提供高电流和低导通电阻，实现高效的电机控制。
3. 照明模块 由于该MOSFET具有较高的额定电流和低导通电阻，适用于LED驱动器和照明模块，能够提供高亮度和高效率的照明效果。
4. 汽车电子模块 在汽车电子模块中，该MOSFET可以用于电动汽车充电桩、电动车控制器、发动机控制单元等功率电子设备，提供高性能和稳定的功率控制。
总之，SM3113NSUC-TRG-VB是一款适用于各种功率电子设备和模块的高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高额定电流和稳定的性能，可广泛应用于电源模块、电机驱动模块、照明模块和汽车电子模块等领域。
