--- 产品参数 ---
- 极性 P沟道
- 最大耐压 -30V
- 最大电流 -40A
- 导通电阻 18mΩ(在10V电压下),25mΩ(在4.5V电压下)
- 额定电压 20Vgs
- 阈值电压 1.7Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AOD417-VB
丝印 VBE2317
品牌 VBsemi
详细参数说明
极性 P沟道
最大耐压 -30V
最大电流 -40A
导通电阻 18mΩ(在10V电压下),25mΩ(在4.5V电压下)
额定电压 20Vgs(门源电压范围为±20V)
阈值电压 -1.7Vth(门源电压下的阈值电压)
封装 TO252
应用简介
AOD417-VB是一种功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于功率放大、开关和驱动应用。它具有高耐压、高电流和低导通电阻的特点,适用于各种工业和消费电子设备。
该器件特别适用于下述模块领域
1. 电源模块 AOD417-VB可用于构建高效、稳定的电源模块,提供所需的电流和电压输出。
2. 电机驱动模块 由于其高电流和低导通电阻,AOD417-VB可用于驱动各种类型的电机,如直流电机、步进电机等。
3. 照明模块 AOD417-VB的高功率特性使其成为构建高亮度、高效率的LED照明模块的理想选择。
4. 车辆电子模块 该器件可用于车载电子设备中,如电动汽车的电池管理系统、驱动控制模块等。
5. 工业自动化模块 AOD417-VB适用于各种工业自动化设备,如PLC、伺服驱动器等。
总之,AOD417-VB是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于电源、驱动和控制模块领域。
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