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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SUD08P06-155L-E3-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号: SUD08P06-155L-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道类型 P沟道
  • 额定电压 -60V
  • 额定电流 -38A
  • 导通电阻 61mΩ(在10V下) 72mΩ(在4.5V)
  • 门源极电压 20V(正负)
  • 阈值电压 -1.3V
  • 封装类型 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  SUD08P06-155L-E3-VB
丝印  VBE2610N
品牌  VBsemi

详细参数说明  
 沟道类型  P沟道
 额定电压  -60V
 额定电流  -38A
 导通电阻  61mΩ(在10V下) 72mΩ(在4.5V下)
 门源极电压  20V(正负)
 阈值电压  -1.3V
 封装类型  TO252

应用简介  
这款VBsemi品牌的SUD08P06-155L-E3-VB是一款P沟道功率场效应晶体管。它具有高电压和大电流的额定值,适用于需要承受高功率的电路模块。其导通电阻低,能够提供较小的功率损耗。该器件的封装类型为TO252,易于安装。

应用领域  
该产品广泛应用于需要应对高功率的电路模块,例如  
 电子电源
 电动工具
 能源管理系统
 电动汽车充电器
 工业自动化控制系统等

总之,SUD08P06-155L-E3-VB适用于需要高功率、低导通电阻和较高电压电流的应用领域,如电子电源、电动工具、能源管理系统等。

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