型号 15N10 TO252-VB
丝印 VBE1101M
品牌 VBsemi
详细参数说明
沟道类型 N沟道
额定电压 100V
额定电流 18A
静态电阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
门源极电压 ±20V
阈值电压 1.6V
包装类型 TO252
应用简介
15N10 TO252-VB MOSFET适用于需要高电压和高电流的应用。它常用于功率放大、开关、逆变器等领域的电路模块。
这些产品可以用在以下领域模块上
1. 功率放大器模块 由于15N10 TO252-VB具有较高的额定电流和电压，它可以用于放大和驱动高功率信号的功率放大器模块。
2. 开关模块 15N10 TO252-VB的高电流和低电阻特性使其成为开关模块中的理想选择，能够在开关电路中高效地切换高功率负载。
3. 逆变器模块 由于具有较高的额定电压和电流能力，15N10 TO252-VB可用于逆变器模块，将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、电动车充电器等领域。
总之，15N10 TO252-VB MOSFET适用于需要高电压和高电流驱动的领域模块，如功率放大器、开关和逆变器模块
