型号 FQD50N06-VB
丝印 VBE1615
品牌 VBsemi
参数说明
沟道类型 N沟道
额定电压 60V
额定电流 60A
开启电阻 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
门源极最大电压 20Vgs (±V)
门阈电压 1.87Vth (V)
封装类型 TO252
应用简介
FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有优异的导通特性，能够提供高效的电流传导。因此，FQD50N06-VB广泛应用于以下领域模块
1. 电源模块 FQD50N06-VB可以用作电源开关，控制电源的通断，以实现稳定可靠的电源输出。
2. 逆变器 FQD50N06-VB适用于逆变器模块，可以将直流电转换为交流电，常用于家电、工业设备等领域。
3. 电动工具 由于FQD50N06-VB具有高电流承受能力和低开启电阻，因此可以应用于电动工具中，提供高功率的驱动能力。
4. 汽车电子 FQD50N06-VB适用于汽车电子模块，如电动车充电桩、电动汽车控制模块等，可以提供高效的功率传输和控制功能。
总之，FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于大功率、高电流的应用，广泛应用于电源模块、逆变器、电动工具以及汽车电子等领域模块。
