--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道场效应管
- 额定电压 30V
- 额定电流 70A
- RDS(ON) 7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V
- 门源电压 20Vgs(±V)
- 阈值电压 1.8Vth(V)
- 封装型号 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 20N03-VB
丝印 VBE1310
品牌 VBsemi
类型 N沟道场效应管
额定电压 30V
额定电流 70A
RDS(ON) 7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V
门源电压 20Vgs(±V)
阈值电压 1.8Vth(V)
封装型号 TO252
应用简介
20N03-VB是一款N沟道场效应管,具备高电流和低导通电阻的特点。它的额定电压为30V,额定电流为70A。其低导通电阻(RDS(ON))使得它在高电流应用场景下能够保持较低的功耗。门源电压为20Vgs(±V),阈值电压为1.8Vth(V)。
这款产品适用于以下领域模块
电源模块 能够在高电流和低导通电阻的情况下,提供稳定的电流输出。
电机控制模块 可用于驱动电机,提供较高的电流输出以保证电机正常运转。
汽车电子模块 能够在汽车电子系统中用于控制和保护电路,提供高电流输出。
总之,20N03-VB是一款适合在高电流和低导通电阻要求的应用中使用的N沟道场效应管,常见于电源模块、电机控制模块和汽车电子模块等领域。
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