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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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20N03-VB-TO252封装N沟道MOSFET

型号: 20N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道场效应管
  • 额定电压 30V
  • 额定电流 70A
  • RDS(ON) 7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V
  • 门源电压 20Vgs(±V)
  • 阈值电压 1.8Vth(V)
  • 封装型号 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

 型号  20N03-VB
 丝印  VBE1310
 品牌  VBsemi
 类型   N沟道场效应管
 额定电压  30V
 额定电流  70A
 RDS(ON)  7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V
 门源电压  20Vgs(±V)
 阈值电压  1.8Vth(V)
 封装型号  TO252

应用简介  
20N03-VB是一款N沟道场效应管,具备高电流和低导通电阻的特点。它的额定电压为30V,额定电流为70A。其低导通电阻(RDS(ON))使得它在高电流应用场景下能够保持较低的功耗。门源电压为20Vgs(±V),阈值电压为1.8Vth(V)。

这款产品适用于以下领域模块  
 电源模块  能够在高电流和低导通电阻的情况下,提供稳定的电流输出。
 电机控制模块  可用于驱动电机,提供较高的电流输出以保证电机正常运转。
 汽车电子模块  能够在汽车电子系统中用于控制和保护电路,提供高电流输出。

总之,20N03-VB是一款适合在高电流和低导通电阻要求的应用中使用的N沟道场效应管,常见于电源模块、电机控制模块和汽车电子模块等领域。

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