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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SSC8035GS6-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

型号: SSC8035GS6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 最大耐压 -30V
  • 最大漏极电流 -5.6A
  • 漏极-源极电阻 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
  • 最大栅极源极电压 ±20V
  • 阈值电压 -1V
  • 封装 SOT23

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号   SSC8035GS6-VB
丝印   VB2355
品牌   VBsemi

详细参数说明  
 P沟道
 最大耐压  -30V
 最大漏极电流  -5.6A
 漏极-源极电阻  47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
 最大栅极源极电压  ±20V
 阈值电压  -1V
 封装  SOT23

应用简介  
该产品是一款P沟道MOSFET,适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压,能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。

该产品适用于以下领域模块  
1. 电源模块  用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建;
2. 电动工具模块  用于电动工具的电源开关、电流控制等;
3. 汽车电子模块  用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等;
4. 通信模块  用于通信设备的功率放大、信号开关等;
5. 工控模块  用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。

总之,SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET,具有低电阻、高耐压等特点,广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。

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