--- 产品参数 ---
- 最大耐压 -30V
- 最大漏极电流 -5.6A
- 漏极-源极电阻 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
- 最大栅极源极电压 ±20V
- 阈值电压 -1V
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SSC8035GS6-VB
丝印 VB2355
品牌 VBsemi
详细参数说明
P沟道
最大耐压 -30V
最大漏极电流 -5.6A
漏极-源极电阻 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
最大栅极源极电压 ±20V
阈值电压 -1V
封装 SOT23
应用简介
该产品是一款P沟道MOSFET,适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压,能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。
该产品适用于以下领域模块
1. 电源模块 用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建;
2. 电动工具模块 用于电动工具的电源开关、电流控制等;
3. 汽车电子模块 用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等;
4. 通信模块 用于通信设备的功率放大、信号开关等;
5. 工控模块 用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。
总之,SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET,具有低电阻、高耐压等特点,广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。
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