--- 产品参数 ---
- 额定电压 60V
- 额定电流 4A
- 导通电阻 85mΩ(在10V下),96mΩ(在4.5V下)
- 额定输入电压 20Vgs(±V)
- 阈值电压 1~3Vth
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AM2358N-T1-PF-VB
丝印 VB1695
品牌 VBsemi
参数
N沟道
额定电压 60V
额定电流 4A
导通电阻 85mΩ(在10V下),96mΩ(在4.5V下)
额定输入电压 20Vgs(±V)
阈值电压 1~3Vth
封装 SOT23
详细参数说明
AM2358N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET管,具有较低的导通电阻,高耐压及高电流承受能力。在10V下,导通电阻为85mΩ,在4.5V下,导通电阻为96mΩ。额定输入电压为20Vgs(±V),阈值电压范围为1~3Vth。封装为SOT23,方便安装和布局。
应用简介
该产品适用于各种需要控制电流的领域模块。由于其较低的导通电阻和高耐压能力,适用于需要高功率输出的设备。常见的应用包括
1. 电源开关 AM2358N-T1-PF-VB可作为电源开关管,用于电源管理电路中的开关控制,能够实现高效率的供电控制。
2. 电机驱动 由于AM2358N-T1-PF-VB具有高电流承受能力,可用于电机的驱动控制,适用于机器人、电动车、家电等需要驱动电机的领域。
3. LED照明控制 AM2358N-T1-PF-VB可用于LED照明控制电路中的开关控制,实现对LED灯的亮度调节和开关控制。
总之,AM2358N-T1-PF-VB适用于各种需要高功率输出和电流控制的领域模块,包括电源开关、电机驱动和LED照明控制等。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12