型号 NTD24N06LT4G-VB
丝印 VBE1638
品牌 VBsemi
参数
极性 N沟道
额定电压 60V
额定电流 45A
漏电阻 24mΩ@10V，28mΩ@4.5V
门源电压 20Vgs(±V)
阈值电压 1.8Vth(V)
封装 TO252
应用简介
该型号的NTD24N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于60V以下的电路应用。其具有低漏电阻和低阈值电压的特点，能够在较低电压下实现高电流的开关和增强功能。
该产品适用于以下领域模块
电源模块 由于该型号具有较低的漏电阻和高电流承受能力，可以用于电源模块中的开关电路，提高效率和稳定性。
驱动模块 由于具有低门源电压和低阈值电压，可广泛应用于驱动模块中，用于控制电流和功率输出。
电动工具 该型号的降低漏电阻和高电流特性使其适用于电动工具中，提高效率和稳定性。
电动汽车 由于额定电压和电流较高，该型号可用于电动汽车中的驱动系统，以实现高功率输出和能效。
总结来说，NTD24N06LT4G-VB适用于电源模块、驱动模块、电动工具和电动汽车等领域模块。其具有低漏电阻、低阈值电压和高电流承受能力的特点，在这些领域模块中能够提供高效率、稳定性和高功率输出
