--- 产品参数 ---
- 沟道类型 P沟道
- 工作电压 -30V
- 工作电压 -30V
- 门极电压范围 20Vgs (±V)
- 阈值电压范围 -1~-3Vth(V)
- 封装类型 SOT23-6
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 PMN50XP-VB
丝印 VB8338
品牌 VBsemi
详细参数说明
沟道类型 P沟道
工作电压 -30V
工作电压 -30V
开启电阻 RDS(ON) = 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
门极电压范围 20Vgs (±V)
阈值电压范围 -1~-3Vth(V)
封装类型 SOT23-6
应用简介
该型号的PMN50XP-VB P沟道功率 MOSFET适用于各种领域的电路和模块设计,可以应用于需要高性能功率开关和电源控制的应用中。
该器件的特性包括工作电压高,电流能力大,开启电阻低等,使其适用于以下领域模块
1. DC/DC转换器 用于电源管理系统,提供高效率的电力转换;
2. 电机驱动 用于控制电机速度和方向的模块,可以应用于工业自动化、家电等领域;
3. 逆变器 用于将直流电转换为交流电的模块,广泛应用于太阳能发电、电动车、UPS等领域;
4. 开关电源 用于稳定输出电压和电流的电源模块,适用于计算机、通信设备等领域。
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