型号 NTD20N06LT4G-VB
丝印 VBE1638
品牌 VBsemi
参数
沟道类型 N沟道
额定电压 60V
额定电流 45A
导通电阻 24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
硅极电压 20Vgs (±V)
门槽电压 1.8Vth(V)
封装类型 TO252
详细参数说明
NTD20N06LT4G-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其丝印为VBE1638，由VBsemi公司生产。该器件具有以下主要参数
1. 高额定电压（60V）和大额定电流（45A），适合处理高功率电路；
2. 导通电阻低，具有优秀的导通性能（24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V），可以降低功率损耗；
3. 20V的硅极电压（20Vgs），以及1.8V的门槽电压（1.8Vth(V)），提供灵活的驱动和控制能力；
4. 封装为TO252，易于焊接和安装。
应用简介
NTD20N06LT4G-VB MOSFET通常用于以下领域模块
电源模块 由于其高额定电压和大额定电流，可广泛应用于电源模块中，用于稳定和分配电流；
电机驱动 该器件的低导通电阻和高功率特性，使其成为电机驱动模块的理想选择，可以提供高效率和高输出功率；
电子设备 由于其灵活的驱动和控制能力，NTD20N06LT4G-VB可以用于各种电子设备，如开关电源、逆变器、光伏发电系统等。
总之，NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高额定电压和大额定电流的N沟道MOSFET器件，适用于各种需要高功率性能和灵活控制的模块
