企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造，致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

IPD78CN10N G-VB-TO252封装N沟道MOSFET

MOS管 VBsemi
型号： IPD78CN10N G-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 极性 N沟道
  • 额定电压 100V
  • 额定电流 25A
  • RDS(ON) 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5v
  • 额定栅极源极电压 20V (±V)
  • 阈值电压（Vth） 1.4V
  • 封装类型 TO252

--- 数据手册 ---

IPD78CN10N G-VB.pdf

--- 产品详情 ---

型号 IPD78CN10N G丝印 VBE1106N品牌 VBsemi详细参数说明  极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 25A 开通电阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V 额定栅极源极电压（Vgs） 20V (±V) 阈值电压（Vth） 1.4V 封装类型 TO252应用简介 IPD78CN10N G是一款N沟道MOSFET，具有高电压和高电流能力，适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻、高开关速度和可靠性。主要应用领域 1. 照明模块 IPD78CN10N G可应用于LED照明模块中的电源管理和驱动控制。其高电压和高电流能力使其能够提供可靠的功率开关和精确的照明调节。2. 功率转换 由于IPD78CN10N G具有较低的导通电阻和高开关速度，可以应用于功率转换模块中的DCDC转换器和逆变器。它能够提供高效的能量转换和稳定的电源输出。3. 电动车辆 IPD78CN10N G适用于电动车辆中的电源管理和驱动控制模块。其高电压和低导通电阻能够提供高效的功率传输和稳定的电动车辆运行。4. 工业自动化 在工业自动化领域，IPD78CN10N G可用于电机控制、传感器接口和数据采集模块。其高电流能力和低导通电阻能够提供稳定的信号处理和精确的控制功能。综上所述，IPD78CN10N G适用于照明模块、功率转换、电动车辆和工业自动化等领域的模块应用。它具有高电压、高电流能力和低导通电阻，能够满足各种应用需求，并提供高效的功率开关和电流控制。
 

为你推荐

产品 文章

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域，供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优，同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件，不再是简单的备选方案，而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时，微碧半导体（VBsemi）推出的VBM1201M脱颖而出，它
    123浏览量

  • VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天，为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案，已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半导体（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代，而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量