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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BS250FTA-VB-SOT23封装P沟道MOSFET

型号: BS250FTA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 P沟道
  • 最大耐压 60V
  • 最大漏极电流 0.5A
  • RDS(ON)) 3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V
  • 栅极电压(Vgs)范 ±20V
  • 阈值电压(Vth) 1.87V
  • 封装 SOT23

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 BS250FTA丝印 VB264K品牌 VBsemi参数 P沟道,60V,0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V);SOT23该产品具有以下详细参数说明  类型 P沟道功率场效应管 最大耐压 60V 最大漏极电流 0.5A 导通时的电阻(RDS(ON)) 3000mΩ@10V, 3680mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 1.87V 封装 SOT23该产品适用于以下领域模块  低功耗应用 BS250FTA可用于低功耗电路模块,如传感器电路和小功率电源控制。 电池管理 适用于电池管理模块中的小功率应用,如电池保护电路和充放电控制。 照明控制 可用于照明控制模块中,实现对小功率照明设备的驱动和控制。 手持设备 适用于手持设备模块,如移动电话、数码相机和便携式电子设备中的电路控制和电源管理。综上所述,BS250FTA适用于低功耗应用、电池管理、照明控制和手持设备等领域模块。
 

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