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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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ME35N06G-VB-TO252封装沟道MOSFET

型号: ME35N06G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 最大耐压 60V
  • 最大电流 45A
  • 导通电阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
  • 门源电压 20Vgs (±V)
  • 门阈电压 1.8Vth
  • 封装 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 ME35N06G丝印 VBE1638品牌 VBsemi详细参数说明  类型 N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 45A 导通电阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.8Vth 封装 TO252应用简介 ME35N06G是一款N沟道MOSFET,适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为60V,最大电流为45A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于高压电源开关和DCDC变换器等。2. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和机器人控制系统。3. 高功率逆变器模块 适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器。总之,ME35N06G适用于高电压和大电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和高功率逆变器模块等。
 

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