型号 IRFL210TRPBF丝印 VBJ1201K品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 200V 额定电流(ID) 1A 开通电阻(RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 2~4V 封装类型 SOT223应用简介 这款IRFL210TRPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和适中的额定电流能力，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 适用于高压开关电源、DCDC变换器、逆变器等低功率电源模块。 工业自动化模块 适用于高压工业自动化控制系统中的功率开关和控制模块。 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等低功率汽车电子模块。 通信设备模块 适用于高压高功率通信设备中的功率放大和开关模块。总之，IRFL210TRPBF MOSFET适用于需要高电压N沟道MOSFET进行低功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压(VDS) 200V
- 额定电流(ID) 1A
- (RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 2~4V
- 封装类型 SOT223
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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