企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

FDC6420C-NL-VB-SOT23-6封装 N+P沟道MOSFET

型号: FDC6420C-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N+P沟道
  • 最大耐压 ±20V
  • 最大电流 7A / 4.5A
  • 导通电阻 20mΩ / 70mΩ @4.5V, 29mΩ /
  • 门源电压 20Vgs (±V)
  • 门阈电压 0.71V / 0.81Vth
  • 封装 SOT236

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 FDC6420CNL丝印 VB5222品牌 VBsemi详细参数说明  类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±20V 最大电流 7A / 4.5A 导通电阻 20mΩ / 70mΩ @4.5V, 29mΩ / 106mΩ @2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 0.71V / 0.81Vth 封装 SOT236应用简介 FDC6420CNL是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±20V,最大电流为7A / 4.5A,具有低导通电阻和高性能。该器件可以应用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。2. 电机驱动模块 可用于需要控制正向和反向电流的电机驱动系统。3. 高效逆变器 适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器。总之,FDC6420CNL适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和高效逆变器模块等。
 

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    149浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    127浏览量