Si1553CDLT1GE3详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A (N沟道), 1.5A (P沟道) 导通电阻 130mΩ @ 4.5V (N沟道), 230mΩ @ 4.5V (P沟道), 160mΩ @ 2.5V (N沟道), 280mΩ @ 2.5V (P沟道) 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 ±0.6~2Vth (V) 封装类型 SC706应用简介 Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用。它具有正负额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。Si1553CDLT1GE3采用SC706封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等多个领域。由于其正负额定电压和额定电流特性，Si1553CDLT1GE3特别适用于需要同时控制正负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件，适用于电源管理和功率放大器等多种应用模块。特别适用于需要同时控制正负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。
--- 产品参数 ---
- 极性 N+P沟道
- 额定电压 ±20V
- 额定电流 2.5A
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 ±0.6~2Vth (V)
- 封装类型 SC706
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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