型号 SI2307DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V 额定电流(ID) 5.6A 开通电阻(RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1V 封装类型 SOT23应用简介 这款SI2307DST1GE3 MOSFET是一款低压P沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 用于低压开关电源、DCDC变换器、逆变器等低功率电源模块。 电池管理模块 用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。 小功率开关模块 用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。 消费电子模块 用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，SI2307DST1GE3 MOSFET适用于需要低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 额定电压(VDS) 30V
- 额定电流(ID) 5.6A
- (RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 1V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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