型号 SI3911DVT1GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V 门源电压 12Vgs (±V) 门阈电压 1.2~2.2Vth 封装 SOT236应用简介 SI3911DVT1GE3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为20V，最大电流为4A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制。3. 电动工具 可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SI3911DVT1GE3适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高压负载开关模块和电动工具等。
--- 产品参数 ---
- 类型 2个P沟道
- 最大耐压 20V
- 最大电流 4A
- 导通电阻 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V
- 门源电压 12Vgs (±V)
- 门阈电压 1.2~2.2Vth
- 封装 SOT236
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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