型号 FDN339ANNL丝印 VB1240品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 20V 额定电流(ID) 6A 开通电阻(RDS(ON)) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V 阈值电压(Vth) 0.45~1V 封装类型 SOT23应用简介 这款FDN339ANNL MOSFET是一款低压N沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 用于低压开关电源、DCDC变换器、逆变器等低功率电源模块。 电池管理模块 用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。 小功率开关模块 用于低压开关电路、低功率开关控制等低功率应用。 嵌入式系统模块 用于嵌入式系统中的功率开关和电源管理模块。总之，FDN339ANNL MOSFET适用于低压低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压(VDS) 20V
- 额定电流(ID) 6A
- (RDS(ON)) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5
- 阈值电压(Vth) 0.45~1V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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