SI2319DST1GE3详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 SI2319DST1GE3是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。SI2319DST1GE3采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性，SI2319DST1GE3特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，SI2319DST1GE3是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中。特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等领域。
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--- 产品参数 ---
- 极性 P沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 5.6A
- 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 1Vth (V)
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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