型号 SUD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 60V 额定电流(ID) 50A 开通电阻(RDS(ON)) 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.76V 封装类型 TO252应用简介 这款SUD50P0615LGE3 MOSFET是一款P沟道类型的高功率MOSFET，适用于负极性电源应用场景。它具有高额定电压和额定电流能力，适用于需要高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 用于负极电源开关、DCDC变换器、逆变器等高功率电源模块。 电机控制模块 用于负极直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制。 汽车电子模块 用于汽车电池管理、照明控制、负极电源开关等高功率汽车电子模块。 通信设备模块 用于高功率广播设备、通信设备中的功率放大和开关模块。总之，SUD50P0615LGE3 MOSFET适用于需要P沟道MOSFET进行高功率开关和功率转换的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能，特别适用于负极电源应用。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 额定电压(VDS) 60V
- 额定电流(ID) 50A
- 开通电阻(RDS(O 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 1.76V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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