--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 20V
- 最大电流 4A
- 导通电阻 57mΩ @4.5V, 83mΩ @2.5V
- 门源电压 12Vgs (±V)
- 门阈电压 0.81Vth
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 NTR0202PLT1G丝印 VB2290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 57mΩ @4.5V, 83mΩ @2.5V 门源电压 12Vgs (±V) 门阈电压 0.81Vth 封装 SOT23应用简介 NTR0202PLT1G是一款P沟道MOSFET,适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为20V,最大电流为4A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于低压电源管理和负载开关控制。2. 转换器模块 可用于低压转换器和逆变器的输出调节。3. 消费电子产品 适用于低压电池供电设备和便携式电子产品等。总之,NTR0202PLT1G适用于低压和中等电流应用领域的模块设计,包括电源管理、转换器模块和消费电子产品等。
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