型号 SQ9945BEYT1GE3丝印 VBA3638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 6A 导通电阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 SOP8应用简介 SQ9945BEYT1GE3是一款具有双N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为60V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 可用于DCDC变换器、稳压器和电源开关等。2. 高效逆变器模块 适用于太阳能逆变器、UPS电源和电动车充电器等。3. 电机驱动模块 可用于驱动大功率电机和步进电机等。总之，SQ9945BEYT1GE3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、逆变器和电机驱动模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 2个N沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 6A
- 导通电阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.5Vth
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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