型号 NTD2955T4G丝印 VBE2610N品牌 VBsemi参数 - 频道类型 P沟道- 额定电压 -60V- 额定电流 -38A- RDS(ON) 61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V- 门源电压范围 ±20V- 门源阈值电压 -1.3V- 封装类型 TO252应用简介 NTD2955T4G（丝印 VBE2610N）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 NTD2955T4G是一款高压、高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-60V，额定电流为-38A，RDS(ON)为61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为-1.3V，封装类型为TO252。应用领域 NTD2955T4G（VBE2610N）适用于多种领域和应用场景，特别适用于需要P沟道功率MOSFET的高压、高电流电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 NTD2955T4G可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和汽车电子系统 它适用于电动工具和汽车电子系统中的驱动和控制电路，实现高功率和高效能的电力输出。3. 电池管理系统 NTD2955T4G可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理能力。4. 电动车充电桩 NTD2955T4G适用于电动车充电桩中的开关电路，提供高效能的电能转换和稳定的电流控制。5. 工业自动化和通信设备 NTD2955T4G适用于工业自动化和通信设备中的开关电路，提供电源管理和电流控制功能。综上所述，NTD2955T4G（VBE2610N）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、汽车电子系统、电池管理系统、电动车充电桩、工业自动化和通信设备等领域模块。它具有高压、高电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
NTD2955T4G-VB-TO252封装P沟道MOSFET
型号：
NTD2955T4G-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
