--- 产品参数 ---
- N沟道 MOSFET
- 最大耐压 30V
- 最大电流 6A
- 导通电阻 30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.2Vth
- 封装 SOT236
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AO6400丝印 VB7322品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6A 导通电阻 30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.2Vth 封装 SOT236应用简介 AO6400是一款N沟道MOSFET,适用于中等电压和电流的应用。其最大耐压为30V,最大电流为6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多种领域的模块设计,包括但不限于 1. 电源管理模块 适用于低压电源管理,如电池供电设备和便携式电子产品。2. 电流控制模块 可用于电流调节和负载开关控制。3. 电动工具 适用于驱动低功率电动工具中的开关和控制模块。总之,AO6400适用于中等电压和电流应用领域的模块设计,包括低压电源管理、电流控制和低功率电动工具等。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12