--- 产品参数 ---
- 最大耐压 30V
- 最大漏极电流 5.8A
- 导通时的电阻(RDS 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 栅极电压 (Vgs)范围 ±20V
- 阈值电压(Vth) 1.2V
- 封装 DFN6 (2X2)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管,具有以下参数
- 最大耐压 30V
- 最大漏极电流 5.8A
- 导通时的电阻(RDS(ON)) 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs)范围 ±20V
- 阈值电压(Vth) 1.2V
- 封装 DFN6 (2X2)
该产品适用于以下领域模块
- 电源开关 SiA400EDJ-T1-GE3可以用作电源开关模块中的主要器件,用于电源的控制和转换。
- 电机驱动 适用于各种电机驱动模块中,提供稳定的功率放大和驱动能力。
- 电源管理 在电源管理模块中,可用于实现电源开关、电源保护和电源管理等功能。
- LED照明 可以应用于LED照明模块中,实现对LED灯的驱动和亮度控制。
综上所述,SiA400EDJ-T1-GE3适用于电源开关、电机驱动、电源管理和LED照明等领域模块。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12