--- 产品参数 ---
- 最大耐压 20V
- 最大漏极电流 6A
- 导通时的电阻 (RDS(ON)) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
- 栅极电压(Vgs) ±8V
- 阈值电压(Vth) 0.45V至1V
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
MT2300ACTR是一款N沟道功率场效应管,具有以下参数
- 最大耐压 20V
- 最大漏极电流 6A
- 导通时的电阻(RDS(ON)) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
- 栅极电压(Vgs)范围 ±8V
- 阈值电压(Vth)范围 0.45V至1V
- 封装 SOT23
该产品适用于以下领域模块
- 电源开关 MT2300ACTR可用作电源开关模块中的主要器件,实现高效的电源控制和电能转换。
- DC-DC转换器 应用在DC-DC转换器模块中,可实现将电压从一个电源转换为另一个电源的功率转换功能。
- 电机驱动 在电机驱动模块中,MT2300ACTR可以提供稳定的功率放大和驱动能力,用于驱动各种类型的电机。
- 电源管理 在电源管理模块中,MT2300ACTR可用于实现电源开关、过压保护和电池管理等功能。
综上所述,MT2300ACTR适用于电源开关、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等领域模块。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12