栅极电源驱动器、 晶体管 MOSFET
型号:
VNP35N07-E
品牌:
ST(意法)
参数
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SFM |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 18 weeks |
| Samacsys Description | NULL |
| 配置 | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 35 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.035 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 22500 ns |
| 最大开启时间(吨) | 804200 ns |