制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: YES
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 9.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 6.22 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
系列: CoolMOS C3
包装数量：1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 2.38 mm
零件号别名: SPU2N6C3XK SP000015064 SPU02N60C3BKMA1
单位重量: 340 mg
