--- 产品参数 ---
- V DSS 30
- V GS (th)_ 1.5
- 典型导通电阻 3.8
--- 产品详情 ---
ZK30N100G是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(N-channelEnhancementModePowerMOSFET)。
采用先进沟槽技术(AdvancedTrenchTechnology)。
具备出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(LowGateCharge)特性。
获得无铅产品认证(Leadfreeproductisacquired)。
100%通过单脉冲雪崩测试(100%UISTESTED!)。
100%通过漏源电压变化测试(100%ΔVdsTESTED!)。
为你推荐
-
中科微电ZK30N100G2025-10-17 10:46
产品型号:ZK30N100G V DSS:30 V GS (th)_:1.5 典型导通电阻:3.8 -
中科微电ZK30N100T2025-10-17 10:28
产品型号:ZK30N100T 耐压:280V 输入逻辑兼容:5V、3.3V 封装:SOP8 -
中科微电ZK21312025-10-17 10:10
产品型号:ZK2131 耐压:280V 输入逻辑兼容:5V/3.3V 封装:SOP8 -
中科微电MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55
产品型号:ZK30N100G BVdss:30V ID:90A Typ:3.4 Vgs:±20 -
中科微电ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45
产品型号:ZK30N140T BVdss:30V ID:140A Vgs:±20 Typ:1.64 -
中科微电mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20
产品型号:ZK60N20DG BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:27 -
中科微电mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13
产品型号:ZK30N100Q BVdss:30V ID:90A Vgs:±20 Typ:3.6 -
中科微电MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59
产品型号:ZK60N20DS BVdss:60V ID:20A Vgs:±20 Typ:29 -
中科微电ZK60G270G CLIP SGT车规级2025-09-25 09:30
产品型号:ZK60G270G 封装:PDFN5x6 批次:2025+ BVDSS:60V Id:270A -
中科微电ZK100G325TL2025-09-22 14:17
产品型号:ZK100G325TL BVdss:100 ID:411 Vgs:±20 电阻:0.98
-
MOSFET:电子世界的“开关大师”与技术演进2025-11-27 15:48
-
ZK3080T:低压大电流场景下的功率器件标杆2025-11-25 14:38
-
中科微电ZK40N100G:Trench工艺+紧凑封装,中低压大电流场景新标杆2025-11-17 11:19
-
低压大电流新选择:ZK40N190G MOSFET的技术优势与应用价值2025-11-07 17:27
-
能量调控的精巧使者:ZK68N80T MOSFET的特性与价值2025-11-06 16:52
-
功率器件MOS管中的实干家:ZK100G120B的性能优势与场景赋能2025-11-06 16:25
-
中科微电ZK40P80G:小封装大能量的P沟道MOS管新选择2025-11-06 14:49
-
ZK40P80T:P沟道MOS管中的高功率性能担当2025-11-06 14:35
-
中科微电ZK150G002P:高耐压大电流N沟槽MOS管的性能突破2025-11-06 13:44
-
ZK40N100G:PDFN封装赋能的中低压大电流MOS管标杆2025-11-05 16:30