--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### P1606BD-VB 产品简介
P1606BD-VB是一款高性能的单极N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有优良的电气特性和高效率。这款MOSFET设计用于高电压和大电流应用,适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。其先进的Trench技术使其具备低导通电阻和快速开关能力,从而提高系统的整体性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**:P1606BD-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单极N沟道
- **VDS(漏源电压)**:60V
- **VGS(栅源电压)**:±20V
- **Vth(阈值电压)**:2.5V
- **RDS(ON)**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **ID(最大漏电流)**:58A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源**:
P1606BD-VB可用于高效的开关电源设计,提供稳定的电压和电流输出,同时降低功耗和热损耗。其低RDS(ON)特性有助于提高开关效率。
2. **DC-DC转换器**:
该MOSFET在DC-DC转换器中表现优异,特别是在要求快速开关的应用中,能够有效降低转换过程中的能量损耗。
3. **电机驱动**:
在电机控制模块中,P1606BD-VB可以作为开关元件,实现对电机的高效驱动。其高电流承载能力使其能够满足各种电机驱动的需求。
4. **LED驱动电路**:
在LED驱动电路中,利用其高效开关特性,可以实现更高的亮度和更长的使用寿命,降低整体功耗。
5. **自动化控制系统**:
在工业自动化和机器人控制系统中,该MOSFET可用于执行器和传感器的驱动,保证系统的快速响应和高效运行。
通过以上的介绍,P1606BD-VB展示了其在现代电子设计中的多种应用潜力,尤其是在需要高效能和高可靠性的场景中。
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