--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
P1006BD-VB是一款高效能单N通道MOSFET,采用TO252封装,设计用于高电压和高电流应用。这款器件具备极低的导通电阻和良好的热性能,适合用于高效电源管理和功率转换,能够满足现代电子设备对高性能组件的需求。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
P1006BD-VB广泛应用于以下领域:
1. **DC-DC转换器**: 适用于高效能电源模块,能够优化电能转换效率,降低能量损耗。
2. **开关电源**: 在工业电源和消费电子产品中,能够支持高负载的电流需求。
3. **电池管理系统**: 在电动汽车和移动设备中,有助于有效管理电池的充放电过程,提升系统的可靠性。
4. **电动机驱动**: 适合用于电动机控制和驱动电路,提高驱动效率和系统稳定性。
通过这些应用,P1006BD-VB在各种高性能电子设备中发挥关键作用,帮助实现高效能和低功耗的设计目标。
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