--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### P0920BD-VB 产品简介
P0920BD-VB是一款高电压单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为200V的电压应用设计。该器件具有适中的导通电阻和高阈值电压,适合用于高电压电源管理和开关电路,能够在多种应用场合下提供稳定的性能。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **VDS**:200V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **技术**:Trench
### 应用领域与模块
P0920BD-VB广泛应用于高电压电源转换器、逆变器和工业控制系统。其设计使其特别适合用于电力电子设备、电源管理系统和电动机驱动器,能够在高压环境中稳定工作。此外,该MOSFET在可再生能源系统和LED驱动模块中也表现出色,提升了系统的效率和可靠性。
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