**P0920AD-VB 产品简介：**
P0920AD-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有200V的漏源电压和±20V的栅源电压范围。该器件采用Trench技术，设计用于高效能的电源管理和开关应用，适合各种高电压应用场合。
**详细参数说明：**
- **VDS（漏源电压）：** 200V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 3V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 245mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏电流）：** 10A
- **技术类型：** Trench
**适用领域与模块：**
P0920AD-VB广泛应用于开关电源、直流-直流转换器和电机驱动模块。其高电压能力和低导通电阻特性使其在电源管理系统中表现优异，能够有效降低能量损耗，提升系统效率。在工业自动化和消费电子产品中，该MOSFET的高可靠性和稳定性也使其成为理想选择。
