--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
P0903BDB-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。其低导通电阻和优良的热性能使其在电源管理和功率转换中表现出色,能够满足高效能系统的需求。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
P0903BDB-VB广泛应用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统。它在电动汽车、工业控制和消费电子产品中发挥关键作用,能够有效管理电源流向,提高整体系统的效率和可靠性,满足高功率需求。
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