**P062ABDD-VB 产品简介：**
P062ABDD-VB是一款高效N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有30V的漏源电压和20V的栅源电压范围。该器件采用Trench技术，提供极低的导通电阻，适合用于高效能的电源管理和开关应用。
**详细参数说明：**
- **VDS（漏源电压）：** 30V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 3mΩ @ VGS=4.5V；2mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏电流）：** 100A
- **技术类型：** Trench
**适用领域与模块：**
P062ABDD-VB广泛应用于高效电源供应、直流电机驱动和高频开关电源。其低导通电阻特性使其在电源管理模块中提供出色的热效率，特别是在电力转换和电池管理系统中表现优异。此外，该MOSFET还适用于高性能计算设备和通信设备中的高电流应用。
