**P0550AD-VB 产品简介：**
P0550AD-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有650V的漏源电压和30V的栅源电压范围。该器件采用SJ_Multi-EPI技术，能够在高电压应用中提供低导通电阻和高效能，非常适合用于电源管理和开关控制。
**详细参数说明：**
- **VDS（漏源电压）：** 650V
- **VGS（栅源电压）：** ±30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 1000mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏电流）：** 5A
- **技术类型：** SJ_Multi-EPI
**适用领域与模块：**
P0550AD-VB适用于各种高电压应用，包括开关电源、直流-直流转换器以及工业自动化控制系统。在LED驱动器和电机控制模块中，它能有效提供稳定的开关性能和低损耗，从而提高系统的整体效率。该MOSFET的高电压和高电流能力使其在电源管理和能源转换领域中非常受欢迎。
