--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NVD6415ANLT4G-VB 产品简介
NVD6415ANLT4G-VB 是一款高效能单N通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和中高电流应用设计。该器件具有相对较低的导通电阻和良好的热管理性能,非常适合用于高效开关电源和电源管理解决方案。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.8V
- **RDS(ON)**: 35mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 40A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
NVD6415ANLT4G-VB 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、LED驱动和电动工具等领域。其低导通电阻和高电压承载能力使其在需要高效率和可靠性的场合表现优越,尤其适合在工业设备、汽车电子和高性能计算机中使用,确保系统的稳定性和能效。
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