### 产品简介
NVD5890NT4G-VB是一款高效单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压和高电流应用设计。其低导通电阻和优良的热性能使其非常适合用于高效电源管理和功率转换，确保系统稳定运行。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 40V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 1.6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NVD5890NT4G-VB广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统和开关电源。它在电动汽车、工业自动化和高性能消费电子产品中发挥关键作用，有效提升系统的能效和可靠性，满足高功率需求。
