### 产品简介
NVD5890NL-VB是一款高性能的N通道MOSFET，采用TO252封装，专为中高电压和大电流应用设计。其极低的导通电阻和优异的热性能使其在高负载条件下表现出色，非常适合用于电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极源极电压(VDS)**: 40V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ@VGS=4.5V
- 1.6mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 120A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
NVD5890NL-VB广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制和LED驱动等领域。由于其极低的导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET非常适合在要求高效率和低发热的环境中使用，能够有效提升系统的整体性能，尤其在高功率密度的应用场景中，如服务器电源、工业电源和汽车电子等。
