--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NVD4815NT4G-VB是一款高效能的N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和大电流应用设计。其极低的导通电阻使其在高负载条件下表现优异,能够满足现代电子设备对高性能的需求,广泛应用于电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极源极电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ@VGS=4.5V
- 7mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
NVD4815NT4G-VB广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、马达驱动和LED照明等领域。由于其极低的导通电阻和高电流承载能力,该MOSFET特别适合在要求高效率和低发热的环境中使用,能够有效提升系统的性能,广泛应用于消费电子、工业自动化和汽车电子系统中。
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