### 产品简介
NVD3055L170T4G-VB是一款高效能的N通道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压和电流应用设计。其具有合理的导通电阻，适合在多个电源管理和开关应用中实现稳定的性能，尤其在较高电流条件下表现出色。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极源极电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 85mΩ@VGS=4.5V
- 73mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 18A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
NVD3055L170T4G-VB广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、马达驱动和LED照明等领域。其适中的导通电阻和较高的电流承载能力使其非常适合在需要高效率和低发热的应用中，尤其是在消费电子、工业控制和汽车电子中表现优异。
