--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NTD95N02RT4G-VB 产品简介
NTD95N02RT4G-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压、高电流应用设计。凭借其极低的导通电阻和宽广的阈值电压范围,该器件非常适合用于高效率的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS**: 20V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
NTD95N02RT4G-VB 广泛应用于电源管理、LED 驱动和电机控制等领域。其低导通电阻和高电流能力,使其非常适合用于高效的 DC-DC 转换器和开关电源。该 MOSFET 还可以用于便携式电子设备、计算机和消费电子产品中,确保高效的电源转换和稳定的工作性能,满足多样化的应用需求。
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