### 产品简介
NTD85N02R-001-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，适合各种功率应用，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，能够有效提升系统效率和热管理性能。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源电压（VDS）**：20V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：0.5~1.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=2.5V，4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏电流（ID）**：100A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块
NTD85N02R-001-VB广泛应用于电源管理系统，如DC-DC变换器和电机控制器，尤其适用于低电压和高电流的场合。它也适合在快速开关应用中使用，比如消费电子产品和电池管理系统，以提高能效和延长设备寿命。
