### 产品简介
**NTD80N02T4G-VB** 是一款高效能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压应用设计。该器件以其极低的导通电阻和优越的开关特性，特别适合用于高频电源管理和功率转换应用。NTD80N02T4G-VB的最大漏源电压为20V，最大连续漏电流可达100A，确保其在高负载条件下的高效性和稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD80N02T4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench技术
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD80N02T4G-VB广泛应用于高效的DC-DC转换器和电源模块，能够显著降低能量损耗，提高电源转换效率，适合计算机、消费电子设备及便携式设备。
2. **电动机控制**: 该MOSFET适合用于电动机驱动应用，如家用电器和工业自动化设备，能够处理高电流并提供优异的控制性能。
3. **汽车电子**: 在汽车电源管理中，NTD80N02T4G-VB可用于电池管理系统和电动助力转向等功能，确保系统在各种负载条件下的高效性和可靠性。
4. **LED照明**: 由于其快速开关特性，该MOSFET非常适合用于LED照明驱动，提高照明系统的效率和稳定性，广泛应用于商业和家用照明。
5. **通信设备**: NTD80N02T4G-VB在无线通信基站和网络设备中可用于功率放大和电源管理，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
凭借其卓越的性能，NTD80N02T4G-VB在现代电子设计中成为重要的组成部分，适用于多种应用场景。### 产品简介
**NTD80N02T4G-VB** 是一款高效能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压应用设计。该器件以其极低的导通电阻和优越的开关特性，特别适合用于高频电源管理和功率转换应用。NTD80N02T4G-VB的最大漏源电压为20V，最大连续漏电流可达100A，确保其在高负载条件下的高效性和稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD80N02T4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench技术
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理**: NTD80N02T4G-VB广泛应用于高效的DC-DC转换器和电源模块，能够显著降低能量损耗，提高电源转换效率，适合计算机、消费电子设备及便携式设备。
2. **电动机控制**: 该MOSFET适合用于电动机驱动应用，如家用电器和工业自动化设备，能够处理高电流并提供优异的控制性能。
3. **汽车电子**: 在汽车电源管理中，NTD80N02T4G-VB可用于电池管理系统和电动助力转向等功能，确保系统在各种负载条件下的高效性和可靠性。
4. **LED照明**: 由于其快速开关特性，该MOSFET非常适合用于LED照明驱动，提高照明系统的效率和稳定性，广泛应用于商业和家用照明。
5. **通信设备**: NTD80N02T4G-VB在无线通信基站和网络设备中可用于功率放大和电源管理，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
凭借其卓越的性能，NTD80N02T4G-VB在现代电子设计中成为重要的组成部分，适用于多种应用场景。
